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专利号:2011100555181
本发明公开一种高功率芯片封装构造的导线架及其制造方法,所述导线架的一芯片承座具有至少为0.5毫米的厚度,以提供足够的吸热效能及散热效率。所述芯片承座上也设有一容置空间以容置一粘着层,且所述容置空间的内底部具有数个凸块,用以防止一高功率芯片的下表面倾斜及容置空间内粘着材料溢出,以维持所述高功率芯片的水平度,并同时有效的均匀控制所述粘着层的粘着厚度。因而,有利于保持所述粘着层的热能传导均一性,进而相对提高所述高功率芯片封装构造的可靠度及使用寿命。