专利号：2015110197542

本发明涉及离子印迹聚合物制备技术领域，尤其涉及一种响应曲面法对大孔介孔离子印迹聚合物的制备工艺优化方法。本发明的目的是以大孔介孔硅基材料为基底，结合RAFT聚合方法，采用响应曲面优化镍表面离子印迹聚合物(Ni(II)-IIP)的制备工艺，用最少的实验对RAFT试剂S,S’-二(α,α’-甲基-α”-乙酸)三硫代碳酸酯(BDAAT)的用量、功能单体丙烯酰胺(AM)的用量、反应时间(T)和引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)试剂的用量这四个对印迹聚合物合成影响较大的条件进行优化，从而提高了镍离子的动态吸附容量，并应用于动态吸附分离水溶液中的镍离子。