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一种复合介电薄膜及其制备方法
添加时间:2023-11-07 浏览次数: 497

专利号:2018114576113

本发明公开了一种复合介电薄膜,由聚偏氟乙烯和金纳米颗粒制备成,其中,金纳米颗粒体积分数为0.01~0.02vol%,其余为聚偏氟乙烯,以聚偏氟乙烯作为绝缘保护层,金纳米颗粒为中间层,构成聚合物-金属-聚合物三明治结构。制备方法如下:取聚偏氟乙烯树脂加入到溶剂中溶解均匀形成聚偏氟乙烯溶液;将聚偏氟乙烯溶液均匀涂布在模具表面,干燥制成PVDF薄膜;将PVDF薄膜置于离子溅射仪或磁控溅射镀膜仪中进行单面镀金处理;将镀金后的薄膜置于模腔中,镀金面向上,在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液,烘干后从模具上剥离即得PVDF/金纳米颗粒复合介电薄膜。本发明的复合介电薄膜介电常数较高,介电损耗较低,机械性能优异,尤其是断裂伸长率,适合工业化生产。


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