专利号：2015101563075
本发明公开了一种Pt-GFW/SiO2/n-Si异质结材料及其制备方法。采用化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯网（GFW）转移到n型硅（n-Si100）基片上后，形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光照射高铂酸溶液来负载铂纳米颗粒的方法，在GFW/n-Si器件表面负载铂纳米粒子。本发明的铂负载的石墨烯、硅太阳能电池在室温、100 mW/cm2的模拟太阳光源照射下，器件的开路光电压从474mV提升到545 mV、短路光电流从18.2 mA/cm2提升到19.6mA/cm2、填充因子从42.8%提升到51.2%以上，光电转换效率从3.69%提升到5.48%。采用该方法具有性能优越，价格低廉，制备简单且不同于之前文献中所报道的用硝基甲苯作为溶剂，而采用去离子水作为溶剂，是一种优异的提升可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件性能的方法。
