专利号：2016111227910

本发明公开了一种直接生长在泡沫镍基底上的二硫化三镍薄膜电极及其制备方法，以泡沫镍为基底和镍源，以硫脲作为硫化剂，以乙二醇作为溶剂，通过简单的溶剂热法获得直接生长在泡沫镍表面的二硫化三镍薄膜电极。该制备方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模工业化生产。本发明还公开了所述二硫化三镍电极的应用，所述二硫化三镍薄膜电极呈现多孔纳米结构，有利于材料与电解质充分接触；二硫化三镍以泡沫镍作为镍源生长，与基底结合非常牢固，有利于电荷的快速传递，因此得到的二硫化三镍具有很好的倍率性能和优异的循环稳定性，是理想的超级电容器电极材料。