专利号：2017110034703

本发明公开了一种硫化锑基全无机薄膜太阳能电池的制备方法，首先采用溶胶‑凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构。器件在室温、100mW/cm2的模拟太阳光源照射下得到为560 mV的开路光电压、6.8 mA/cm2的短路光电流、1.17%的光电转换效率。本发明采用石墨烯作为硫化锑基太阳能电池的空穴传输层及透明导电电极具有价格低廉，制备简单且相较于硫化锑基太阳能电池大多使用的有机空穴传输具有更加稳定的器件性能。