专利号：2019110512259

本发明提供了一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗硅片，(2)PN结硅片衬底上Co‑O的合成，(3)PN结硅片衬底上CoP纳米颗粒合成。本发明利用光生电子在PN结内建电场的作用下定向迁移至n区表面后，与溶液中Co离子反应生成Co‑O，然后磷化形成CoP纳米颗粒。与同类材料相比，本发明借助PN结倒金字塔硅片的高比表面积和优异陷光性能，既能有效调控磷化钴纳米颗粒的载量，又能实现良好的光电催化析氢性能。此外，本发明所公布的以倒金字塔p‑n硅为基底光照生长CoP催化剂的制备方法，具有制备工艺简单、成本低廉、可行性及可重复性高、方法新颖等优点，有利用后期的研究和工业化批量生产。